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帮助指南

[BA202500428]探测器后段流片服务备案公示公告(更正)

发布时间：2025-05-13 09:18:50

采购信息

项目编号	BA202500428	项目名称	探测器后段流片服务
经办人单位	电子科学与工程学院	经办人	宋俊峰
预算金额	290000.00 人民币	成交金额	290000.00 人民币
成交供应商	上海铭锟半导体有限公司
联系地址	上海市-市辖区-中国(上海)自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼	采购单位	吉林大学电子科学与工程学院
付款方式	服务完毕验收合格后100%付款。
供应商联系手机	17721458376	服务时间	2025年05月16日至 2025年05月31日
服务地址	吉林省-长春市-前进大街2699号
验收方式	以成交单为准，参考相关内容进行验收。验收程序以甲方职能部门规定为准。
售后服务要求	1）质保期：货到验收合格之日起 12 个月 2）售后服务提供商：苏州希卓科技有限公司 3）服务响应时间与服务内容电话相应时间：1 小时
采购材料	供应商列表.pdf

明细清单

采购品目	电子、通信与自动控制技术研究服务	名称	芯片流片服务
单位	项	数量	1
单价	¥290,000.00	总价	¥290,000.00
范围/服务内容及要求	1. 服务范围根据服务要求，完成流片过程中包括锗材料外延、锗区的离子注入、金属打孔与金属互连制作在内的关键工艺步骤。 2. 服务内容（1）锗材料外延 • 需在SOI基底的指定区域内完成高质量锗（Ge）外延生长； • 外延方式建议为低温Ge种子层+高温Ge厚膜生长，厚度范围约为1–2 μm； • 表面粗糙度要求RMS < 1 nm，以满足后续器件集成需求。（2）离子注入与激活退火 • 对外延Ge区域进行掺杂，掺杂类型包括p型和n型（如B、P等），注入能量和剂量将根据器件仿真参数设定； • 注入后需执行标准退火工艺进行激活，温度与时间需与Ge兼容。（3）金属开窗与互连制作 • 在器件接触区域打孔以暴露接触面，适配后续金属沉积； • 金属材料建采用Ti/TiN/Al； • 需完成引出Pad区制作，支持探针测试或打线封装。序号项目金额（万元） 1) 锗薄膜生长 9.00 2) P型离子注入 8.00 3) N型离子注入 8.00 4) 金属沉积及刻蚀 4.00 3. 服务要求（1）流片完成后，期望交付形式为切割小片或整片（带测试Pad）；（2）对于关键器件区域，要求具备较高的重复性和一致性，若可能，请提供典型区域的工艺测试结果。

信息咨询

吉林大学招标与备案(采购)管理中心

设备类：林老师: 0431-85167310

工程类：白老师: 0431-85167313

服务及其他货物：李老师: 0431-85167309

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