主要技术参数 |
NO. 表征 单位 规格 1 晶型 - 4H 2 表面 - 硅面 (0001)silicon-face 3 主平边长度 mm 47.5±1.5 4 衬底电阻率 Ohm·cm 0.015~0.025 5 偏角方向<11-20> - 4±0.5° 6 主参考面晶向 - <11-20>±0.5° 7 衬底微管密度 cm-2 ≤0.2 16 缺陷 可用面积 (2x2 mm2 Die) - ≥95% 表面缺陷包括但不限于三角形、掉落物、彗星缺陷和胡萝卜缺陷 cm-2 ≤0.5 基平面位错BPD cm-2 ≤0.5 划痕 Scratch - 总长度≤0.5个直径 崩边或裂痕(不去边) edge chip or Cracks - zero 17 表面 粗糙度(Ra,10x10 μm2) nm 0.5 18 背面 背抛 μm ≤10.0 19 背面 刮痕距边缘位置 mm ≤2.0 20 背面 异物(去边2mm) - zero 21 平面度 总厚度变化TTV μm ≤10.0 局部厚度变化-最大值LTV-Max μm ≤3.0 局部厚度变化-平均值LTV-Avg μm ≤2.0 弯曲度BOW μm ±30.0 翘曲度WARP μm ≤40.0 平均厚度 μm (350±25)+11 22 金属污染 Na,K,Ti,Cr,Mn,Fe,Co,Ni, Cu,Zn,Au,Ag,V,Hg,W atoms/cm-2 ≤5E+10 23 碳化硅外延片数量为10套(80片)。 24 由碳化硅外延片制成的β辐射伏特效应核电池的封装方案和性能测试样品满足: 指标一:提供封装后器件体积<30X10X5mm的封装方案; 指标二:电子束测试样机输出功率>100μW(含电容器等储能器件和电子束测试样机系统的整体瞬时输出功率)。
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