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帮助指南

[BA202400397]碳化硅外延片备案终止公告

发布时间：2024-05-30 10:45:22

终止信息

终止理由：

由于乙方原因无法实质响应甲方采购需求，放弃成交

采购信息

项目编号	BA202400397	项目名称	碳化硅外延片
经办人单位	物理学院	经办人	陆景彬
预算金额	274600.00 人民币	成交金额	274600.00 人民币
成交供应商	惠州市未光电子有限公司	质保期	6 月
联系地址	广东省-惠州市-惠州大亚湾霞涌河西五巷12号504房	采购单位	吉林大学物理学院
付款方式	成交单签订后预付成交单总金额的30%，货到验收合格办理相关手续后付余款。(适用于加工定制类)
供应商联系手机	15043092699	交货时间	成交单签订后60天内交货
交货地址	吉林省-长春市-前进大街吉林大学中心校区物理楼130室
交货方式	乙方免费将产品送达甲方用户单位指定地点。
包装及运费	由乙方免费提供及承担
验收方式	以成交单为准，参考相关内容进行验收。验收程序以甲方职能部门规定为准。
售后服务要求	本合同质保期为0.5年，自货物交付之日开始计算。售后服务要求供应商协助提供所列文字材料：（1）：研究报告1份；（2）：协助我方申请发明专利5项（包括说明书、说明书摘要、说明书附图、权利要求书、摘要附图）并参与回复审查意见，直到专利申请流程结束；（3）：封装方案1份；（4）：协助完成测试报告（电学性能测试、稳定性测试）。
采购材料	自主采购评审报告.pdf

明细清单

采购品目	其他信息化学品	品牌名称	未光
名称	碳化硅外延片	产地及生产商	中国-惠州市未光电子有限公司
规格型号	24mm8mm0.7mm	数量	40
计量单位	套	保修年限	1 年
单价	6865.00 人民币	总价	274600.00 人民币
主要技术参数	NO. 表征单位规格 1 晶型 - 4H 2 表面 - 硅面 (0001)silicon-face 3 主平边长度 mm 47.5±1.5 4 衬底电阻率 Ohm·cm 0.015~0.025 5 偏角方向<11-20> - 4±0.5° 6 主参考面晶向 - <11-20>±0.5° 7 衬底微管密度 cm-2 ≤0.2 16 缺陷可用面积 (2x2 mm2 Die) - ≥95% 表面缺陷包括但不限于三角形、掉落物、彗星缺陷和胡萝卜缺陷 cm-2 ≤0.5 基平面位错BPD cm-2 ≤0.5 划痕 Scratch - 总长度≤0.5个直径崩边或裂痕(不去边) edge chip or Cracks - zero 17 表面粗糙度(Ra,10x10 μm2) nm 0.5 18 背面背抛 μm ≤10.0 19 背面刮痕距边缘位置 mm ≤2.0 20 背面异物(去边2mm) - zero 21 平面度总厚度变化TTV μm ≤10.0 局部厚度变化-最大值LTV-Max μm ≤3.0 局部厚度变化-平均值LTV-Avg μm ≤2.0 弯曲度BOW μm ±30.0 翘曲度WARP μm ≤40.0 平均厚度 μm (350±25)+11 22 金属污染 Na,K,Ti,Cr,Mn,Fe,Co,Ni, Cu,Zn,Au,Ag,V,Hg,W atoms/cm-2 ≤5E+10 23 碳化硅外延片数量为40套（320片），其中性能验收电子束测试样机10套（包含80片碳化硅外延片）；封装30套（包含240片碳化硅外延片）。 24 由碳化硅外延片制成的β辐射伏特效应核电池的封装方案和性能测试样品满足：指标一：提供封装后器件体积<30X10X5mm的封装方案；指标二：电子束测试样机输出功率>100μW（含电容器等储能器件和电子束测试样机系统的整体瞬时输出功率）。

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